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MD系列GTR模块

1993年

应用技术

成果简介

采用三重扩散方法制作大功率GTR芯片，GTR芯片是三级达林顿复合结构形成，确定了合适的发射区和基区浓度配比，由于加强了工艺清洁处理，设封装达到要求，具有自动关断特性，是第二代电力半导体器件，国内先进，填补了河北省空白。IC 50～100A，BVCE1000～1200， VCE(SAT)<3.5V。...

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