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分子束外延GaAs/AlGaAs高速器件与光电子器件材料

1993年

应用技术

成果简介

　　分子束外延（MBE）技术是研制超薄层微结构材料的主要技术手段之一。该成果在改进和完善国产MBE设备的同时，研制成功了高质量的GaAs/AlGaAsHEM材料、量子阱激光器材料和SEED材料。已用上述高速器件材料制作出11级和25级HEMT环形振荡器，其门延迟时间达32ps/门（77K）；研制生长的量子阱激光器材料实现了阈值低、波长可调的激光器，材料的阈电流密度已达94/cm^2；研制生长的自电...

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