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发光材料GaP中杂质缺陷光电性质研究

1993年

应用技术

成果简介

该项成果主要内容包括：
1．用DLTS和光电容技术等测量电子辐照GaP产生的深能级缺陷，给出多种缺陷的可能形态，证实辐照缺陷的无辐射复合中心作用。
2．探索了GaP中缺陷的成因，证实它们是无辐射复合中心，严重影响器件的发光性能。
3．用正电子湮没技术研究GaP中缺陷及热处理行为，探索缺陷的荷电态及运动规律，研究其对材料光电特性的影...

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