首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

硅高速半导体开关器件的制造方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
硅高速半导体开关器件的制造方法，用于至少含有一个pn结的硅半导体开关器件的制造，如快恢复二极管，晶闸管，栅极可关断晶闸管(GTO)，绝缘栅双极晶体管(IGBT)和双极开关晶体管。方法步骤为：以常规方法制造所述的开关器件前部各制造步骤直至开始制造金属化电极，在硅片表面制造铂硅合金，用质子或粒子注入形成局部高密度缺陷区，加温退火使缺陷区吸取铂转化为铂杂质区，然后继续按常规方法进行金属化电极制造...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统