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硅片低温直接键合法

2006年

应用技术

成果简介

硅片低温直接键合方法，属于半导体直接键合领域。现有技术处理过的硅片仍需450℃以上的热处理，而高温会改变硅片的杂质分布，热膨胀会带来应力，损伤硅片上的微细结构，有IC存在并有铝引线时，温度超过铝硅共晶点引起器件失效。本发明表面处理过程为：先将系统抽成真空，然后充入等离子体对硅片进行处理；等离子体为纯CF_4气体或体积比为100:1～1:20的CF_4与O_2的混合气体，处理时间为5～20分...

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