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低功耗半导体功率开关器件及其制造方法

2006年

应用技术

成果简介

一种低功耗半导体功率开关器件及其制造方法，提供低功耗的耐压在2kV以内的IGBT、MCT和晶闸管。
特征是：离子注入形成的超薄、低杂质浓度的背p+发射区与包含单侧残留N型扩散层的杂质非均匀分布的N型基区的结合。
方法特征是：其中非均匀掺杂N型基区中靠近p+区一边的残留扩散层是在衬底减薄之前的制造过程的第一步完成的，在衬底减薄之后只有低温加工过程。本...

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