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深紫外延伸多光谱探测器技术（中科院）

2004年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本项目的研究目标：通过展开对GaN基紫外探测器有关的材料制备、芯片工艺、器件物理、封装和测试以及可靠性等方面的研究工作，重点解决材料质量的提高，高浓度搀杂，芯片的干法腐蚀工艺，欧姆接触的电极制备，读出电路与互连技术以及材料和器件的表征技术等。经过努力到2003年底试制出64×1线列焦平面器件，同时在研制中，注意器件工艺的发展，为将来进一步发展多元面阵器件打下基础。项目的研究内容及其关键技术...
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