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深槽介质隔离技术及其在高压集成电路中的应用

2006年

应用技术

中期阶段

成果简介

该项目包括了深槽刻蚀、介质填充、平坦化等工艺，可用于高密度电容、介质隔离、高压集成电路、沟槽功率MOS器件、MEMS器件等。
该项目实现了宽度为0.8-0.9μm深度为17.0μm的深槽刻蚀，深槽的形貌陡直、侧壁光滑，且沟槽底部呈圆弧形，有效防止了因尖角而产生的击穿电压低和漏电流大等问题。深槽很窄，介质填充后表面平坦，当应用于三层金属布线时，也无需再增加表面平坦化工艺。...

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