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基于m面SiC衬底的非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法

2016年

应用技术

初期阶段

成果简介

　　本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法，主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是：
　　（1）将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；
　　（2）在m面SiC衬底上生长厚度为20-50nm，温度为550-680℃的低温AlN层；
　　（3）在所...

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