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一种长寿命SiC发热元件的制备方法

2016年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种长寿命SiC发热元件的制备方法，包括下述步骤：将下述组分按质量百分比配料：SiC，75～90％；Al2O3，1～5％；ZrO?,，1～5％；SiO?,，1～3％；Si，4～10％；C，1～5％；采用挤压成型工艺制成空心管；80～300℃烘干；氮气保护，1450～1650℃烧成，切割后制成发热部、检验电阻值后备用；将下述组分按质量百分比配料：SiC，70～90％，Ni，1～5％；...
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