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巨磁电阻（GMR）自旋阀型磁性薄膜材料及磁场面传感器芯片

2002年

应用技术

中期阶段

成果简介

1、成果来源与背景
该项目是属于国家和地方计划外项目，是深圳市华夏磁电子技术开发有限公司的自选项目。
2、技术原理及性能指标
技术原理：
1988年，法国物理学家Albert Fert等发现在交替重叠的磁性铁膜和非磁性铬膜所制成的磁性金属多层膜中，电阻在磁场里可以降低一半以上。其变化率是以前AMR效应的几十倍。...

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