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非合金欧姆接触的GaNHEMT器件

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本实用新型提供了一种非合金欧姆接触的GaN HEMT器件，其包括由下至上依次层叠的衬底、掺杂GaN缓冲层、非掺杂GaN沟道层和非掺杂AlGaN势垒层，非掺杂GaN沟道层和非掺杂AlGaN势垒层之间形成二维电子气，非掺杂AlGaN势垒层的源极区域和漏极区域开设有沟槽，沟槽从非掺杂AlGaN势垒层的表面深入掺杂GaN缓冲层内部，沟槽内生长有n型InGaN外延层，在源极区域的n型InGaN外延层上形...
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