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一种硅基异质集成的MHEMT结构

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种硅基异质集成的MHEMT结构，包括p型Si衬底和在p型Si衬底上从下至上依次外延生长的晶格应变缓冲层、Ga1-XInXAs沟道层、Al1-XInXAs空间隔离层、平面掺杂层、Al1-XInXAs势垒层、Ga1-XInXAs高掺杂盖帽层；晶格应变缓冲层包括从下至上依次形成的第一GaAs缓冲层、AlGaAs/GaAs多量子阱缓冲层、采用低温生长的第二GaAs...
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