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一种恒流JFET器件及其制造方法

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种恒流JFET器件及其制造方法。本发明的恒流JFET器件，其特征在于所述P+表面栅极区5和P+背面栅极区2的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+表面栅极区5的结深逐渐增加，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+背面栅极区2的结深也逐渐增加。本发明的有益效果为，恒流特性较好，能够满足更小恒流精度的需求。本发明尤其...
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