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一种功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　一种功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明在功率半导体器件的结终端耐压区【即：与器件有源区相连的P型重掺杂区（12）和结终端远端的N型重掺杂电场截止环（17）之间的N层（16）】的顶部引入一层P型掺杂层（19），内部引入若干P型掺杂环（21）；在P型掺杂层（19）中还可引入均匀分布的N型掺杂区（20），在结终端结构中还可引入位于P型掺杂层（19）中并延...

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