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一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　一种超低比导通电阻的横向高压功率器件及制造方法，属于功率半导体器件技术领域。通过光刻和离子注入工艺在第二导电类型半导体漂移区（2）表面形成的第二导电类型半导体重掺杂层（5），开态时为器件提供低阻表面导电通道，与降场层（3）下方的第二导电类型半导体漂移区（2）一起，为器件提供两个导电通道。由于采用离子注入增加了低阻表面导电通道，减小了器件表面的电阻率，极大地降低了器件的导通电阻。与常规具有降场层...
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