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一种横向高压功率半导体器件的结终端结构

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过将横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型漂移区长度缩短，使得N型漂移区与P-well区间隔一定距离，间隔部分以P型衬底代替，相当于引入P型衬底的附加电荷，使得原来的P-well区与N型漂移区构成的pn结处的电场峰值降低，同时在P型衬底与N型漂移区构成的pn结处引入新的电场峰值，而且增大了曲率终端的曲率半径，避免电力线的...
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