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一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规SOI LDMOS器件漂移区表面引入从多晶硅栅延伸至漏电极的延伸栅结构。在延伸栅结构中引入在器件开态时反向偏置的PN结来减小泄漏电流。延伸栅结构一方面在器件导通状态，在靠近延伸栅介质的漂移区表面感应出多数载流子的积累层，为开态电流提供了一条超低电阻通道，从而显著降低器件的比导通电阻，并使比导通电阻不依赖于漂移区...

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