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多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　一、课题来源与背景
　　随着超高压半导体技术的发展，其应用领域也越来越广泛，对超高压半导体二极管的性能要求也越来越高。现有的玻钝硅芯片轴向封装高压二极管均采用单层硅芯片，二极管反向耐压仅能达到2000V，无法满足超高压的要求。
　　二、技术原理及性能指标
　　包括玻钝硅芯片、两铜引线和环氧塑封体；所有玻钝硅芯片组合成多层玻钝硅芯片，并与铜引线焊接，除外铜引...
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