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砷化镓单晶制备新技术及其在LED中的应用

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本项目开发了一种砷化镓单晶的制备新技术。本项目采用高压原位合成技术制备了富砷的砷化镓原料。通过优化工艺，有效解决了各项生长障碍和缺陷，成功地获得了直径2英寸、长度约120mm的砷化镓晶体，其成晶率接近100%。在单坩埚晶体炉基础上，开发出多坩埚技术生长技术，通过实行温场自整定，保证了各工位温场的一致性，成功地一炉生长出了5根砷化镓晶体，大大降低了砷化镓单晶的制备成本，将有利推动砷化镓晶体的广泛...
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