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基于水浴加热改善晶硅太阳电池抗PID技术

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　该项目研发的是采用水浴加热和臭氧氧化制备氧化膜的晶体硅太阳电池抗PID的技术。通过硅片二氧化硅膜厚，均匀性，亲水性，硅块电阻率，电池折射率等实验及研究，达到更优抗电池抗PID性能，同时在硅片臭氧氧化前采用水浴加热，提高硅片本身的温度，结合臭氧氧化，在硅片表面形成一层二氧化硅膜，达到更优。
　　主要技术创新点：硅片去除磷硅玻璃后进行水浴加热，提高硅片温度，可以提高臭氧氧化的二氧化硅膜...
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