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Os同位素形状演化异常的研究

2016年 基础理论
  • 成果简介
　　本项目分别通过28Si+150Sm和28Si+154Gd重离子熔合-蒸发反应布居174Os和178Pt的高激发态，用在束γ实验装置，配以新建立的LaBr闪烁探测器分别利用延迟符合技术与DSAM方法测量174Os和178Pt激发态的寿命，通过复杂的数据分析与处理，提取了这两个核的2+态以及众多高激发态的寿命。从所得的寿命值对174Os集体演化异常、X（5）临界点对称性、形状驱动效应、以及缺中子P...
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