首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

横向高压器件衬底终端技术与耐压模型

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
横向高压器件LDMOS作为高压集成电路的核心器件广泛地应用在小家电，LED照明，适配器，网络通信设备等。LDMOS作为功率开关应用时，由于需要提供高压和大电流，常采用叉指状结构；由于小曲率终端区电场集中效应会导致该器件发生提前击穿，低的终端区耐压已经成为横向高压器件的瓶颈问题。
本项目围绕横向高压器件终端技术和耐压模型进行研究，提出了衬底终端技术，突破横向高压器件小区率...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统