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新型器件SiGe HBT空间辐射效应研究

2015年

应用技术

初期阶段

成果简介

本项目为国内“百人计划”资助项目，其研究领域为新型器件空间辐射效应，项目起始时间2010.01-2014.12，项目总经费250万元。
本项目针对新材料、新结构和新工艺的微电子器件开展空间辐射效应研究。重点完成了免制冷空间新型器件SiGe HBT的单粒子效应损伤机制和关键影响因素研究，建立了SiGe HBT单粒子效应数值仿真模拟方法，分析了重离子入射对器件微观电学特性和...

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