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用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法

2015年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明揭示了一种用于高温环境的N-Ge-Te相变薄膜材料及其制备方法,该材料的组分通式为Nx(GeyTe1-y)1-x,其中0<x≤0.15,0.5<y≤0.9,在外部电脉冲的作用下实现可逆相变。该材料可采用磁控溅射中多靶共溅射的方法制备。本发明立足于相变材料非晶态的稳定性问题,通过调节化合物中掺杂N的含量和Ge、Te的比例,在不丢失可逆相变能力的前提下大幅度提高材料的结晶温度和结晶激活能...
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