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一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法

2015年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95wt％、烧结助剂5～7wt％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35～55％的多孔氮化硅试样。用氢氟酸、硝酸、硫酸去掉氮化硅中的玻璃相及烧结助剂所形成的化合物。将酸洗后的试样放入真空炉中1550～1700℃真空保温20～40分钟渗入5～10wt％的硅，再放入气氛炉中1250～13...
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