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一种大功率晶体管芯片硼铝扩散工艺

2017年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　本发明涉及一种大功率晶体管芯片硼铝扩散工艺，包括以下步骤：
　　1）源溶液配制：将纯硝酸铝a克、三氧化二硼b克溶于cml乙醇；
　　2）硅片清洗；
　　3）硅片烘干；
　　4）将步骤3）烘干后的硅片表面均匀涂覆步骤1）配好的源溶液，放入扩散炉中，升温至1260±1℃恒温8-10小时；其中a∶b∶c＝40∶（1.5-2.5）∶500。
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