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一种适用于光刻工艺的平坦化方法

2017年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种适用于光刻工艺的平坦化方法，采用旋涂法在基片表面涂覆一层介质层，介质层覆盖基片表面约20μm高的台阶并使基片表面形成一个平坦的表面，然后将基片经烘干后再使用低粘度系数光刻胶进行光刻，通过湿法腐蚀工艺制作出UBM层，最后在去胶过程中同时去除介质层。通过该方法制作出了线条/间距150μm/100μm并且带有高度20μm凸点焊盘的UBM层，满足凸点漏印的工艺要求。工艺一致性好，工艺流...
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