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检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法

2017年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置很难获得尺寸较大的视场，以及不能实现对晶体厚度方向的分层域聚焦成像的技术问题。技术方案是通过改变变焦镜筒的放大倍数实现了视场可调，同时高精度四坐标三维自动平移台的运用实现对富Te相的体密度观察。本发明利用这种检测装置检测半导体晶体中富Te相的方法，通过调整厚度方向的位置，实现分层域聚焦成像，从...
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