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聚偏二氟乙烯薄膜的改性方法

2017年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种聚偏二氟乙烯薄膜的改性方法，用于解决现有的紫外光辐射改性聚偏二氟乙烯薄膜方法所得到的聚偏二氟乙烯薄膜结晶度差的技术问题。技术方案是采用173nm的UVb灯，调节电压至3～9KV，将紫外光源辐照度控制在20～80mv/c㎡的范围，辐照5～15min，得到了紫外光改性的聚偏二氟乙烯薄膜。由于采用173nm的UVb灯，在40mv/c㎡辐照强度下辐照10min或者15min，得到了晶粒...
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