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垂直结构功率半导体器件的衬底转移方法

2017年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　本发明提供了一种垂直结构功率半导体器件的衬底转移方法，通过特殊的晶圆级键合技术，将设置在Si基衬底上的GaN功率半导体器件转移至目标Cu衬底上。该方法是一种全新的衬底转移技术，大的热传导系数的Cu基板可以有效的帮助GaN功率半导体器件散热，消除高功率晶体管的自热效应，同时可降低GaN功率器件的功耗及提高设备在高温下的可靠性。该方法操作简单，可推动GaN器件在下一代毫米波雷达收发组件（T/R）组...

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