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半导体器件2

2017年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本实用新型提供了一种半导体器件。半导体器件包括基底、外延层、栅极、源极和漏极，外延层为多层结构，外延层形成在基底上，栅极、源极和漏极形成在外延层上，且栅极位于源极和漏极之间，基底开设有第一散热孔和第二散热孔，第一散热孔位于源极下方，第一散热孔贯穿基底和外延层并与源极接触，第二散热孔位于栅极和漏极之间的下方，第二散热孔与栅极和漏极相隔预定距离。通过上述方式，本实用新型能够有效地加快散热。...
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