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一种大尺寸高纯钨靶材及其生产方法

2017年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种半导体用Φ400以上大尺寸高纯钨靶材，直径≥400mm，纯度达到99.999%以上、致密度99.5%以上、晶粒度≤100μm；其制备包括：将纯度99.999%以上、粒度2.2～2.6μm的钨粉均匀混合；180～250MPa、5～10分钟的冷等静压压制成型；2300℃～2400℃、8～12小时的中频感应烧结；1450～1550℃退火90～180分钟后，经多道次热轧至5～15mm厚...
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