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纳米级VLSI抗老化自适应设计方法研究

2017年

基础理论

成果简介

　　从集成电路老化的物理机制及自适应抗老化技术出发，针对纳米CMOS电路老化的数学模型和VLSI抗老化设计中的若干关键技术问题进行研究。主要研究了以下内容：构建纳米CMOS电路的老化模型，确定模型的必要前提、假设以及约束条件，明确数学模型中相关变量的物理意义，以及最终的数学表现形式和问题属性归属；通过时延监测和漏电监测技术的研究，提出高鲁棒性纳米级VLSI老化进程监测方法，消除环境因素、工艺偏差以...

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