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高质量6英寸n型4H-SiC单晶衬底

2017年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　1、任务来源
　　本项科技成果来源于国家新材料研发及产业化专项“6英寸SiC单晶材料研发与产业化及其在大功率IGBT等器件中的应用”项目、国家高技术研究发展计划（863）项目“6英寸SiC衬底制备及同质外延技术研究”（2014AA032601）课题。
　　2、技术原理
　　本项目采用PVT法生长6英寸n型4H-SiC单晶，通过切割、研磨、抛光等加工工艺，获得...

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