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Ⅲ族氮化物一维纳米材料的生长、结构及性能的基础研究

2017年 基础理论
  • 成果简介
　　本项目属于低维无机非金属材料、纳米材料物理化学、半导体物理的前沿交叉学科领域。
　　Ⅲ族氮化物因具有连续可调的直接带隙和优异的物理化学性质已成为第三代半导体材料的代表，一维半导体纳米结构是发展新型纳米器件的基础，其制备、研究和应用为当今科学前沿。本项目围绕Ⅲ族氮化物一维纳米材料的制备科学、结构调控、场发射/压电发电性能开展研究，在揭示生长机理、发现新纳米结构、材料设计与可控制备、阐...
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