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纳米金刚石薄膜的微结构调控及其光电性能研究

2017年

基础理论

成果简介

　　1.课题来源与背景
　　课题来源：国家自然科学基金、浙江省钱江人才计划
　　背景：金刚石具有宽带隙(5.5eV)、高载流子迁移率(特别是空穴迁移率比单晶Si、GaAs高得多)、低介电常数(5.7)、极高的Johnson 指标和Keyse 指标(均高于Si 和GaAs 十倍以上)和极高的耐腐蚀性能等，被誉为高频高功率以及高温耐压领域的终极宽禁带半导体材料。相比于Si和...

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