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一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法

2015年

应用技术

中期阶段

成果简介

本课题将针对新型存储器件及工艺基础领域中的关键科学问题和核心技术进行研究。本课题研究的新型阻变存储器件包括过渡族金属氧化物的RRAM，基于三维集成实现的存储器件和自旋转移钜存储器件的STT-RAM。RRAM部分，以改善和提高RRAM存储单元的存储性能为目的，围绕当前RRAM领域进一步发展中所面临的材料选择、机理研究、同CMOS工艺完全兼容、器件结构设计与制备、可靠性及一致性，综合性地研究R...

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