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红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法

2015年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
此成果是一种红外焦平面器件高密度微细铟柱端面整平的制备方法，该铟柱端面整平的特征是：下刀定位，通过调节旋钮推动上下移动导轨微调下刀，刀口下落到芯片光刻胶的表面，锁住锁定钮，以及平移芯片，旋动平台调节旋钮带动平台移动导轨链动芯片夹具平台及芯片一起平移。本发明的最大优点是：芯片平移及刀口的刮蹭铟柱端面平整、光亮、均匀性好，铟柱直径在10～12微米，中心距为6～10微米，铟柱高度可达8微米。...
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