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一种制备单晶硅纳米结构的方法

2015年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
目前通过自上而下制作单晶硅纳米结构的方法 （top-down），即通过定位去除材料上不需要的部分，留下符合设计的纳米结构，包括电子束直写、深紫外光刻，纳米压印等纳米刻蚀技术。其工艺原理较为简单，但制备工艺昂贵费时，不甚适用于一般的纳米研究工作。近年来，利用 （100）SOI 硅片表层硅的各向异性腐蚀形成的单晶硅倾斜表面的氧化，形成尺度小、准直性好的掩模，或用倾斜刻蚀槽形结构内金属薄膜形成纳...
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