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一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用

2015年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明涉及微电子技术领域的金属元素掺杂的相变材料，尤其涉及一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用。一种用于相变存储器的富锑高速相变材料，其化学通式为：Ax（Sb2Te）1-x，x为原子百分比，其中A选自W、Ti、Ta或Mn，0＜x＜0.5。
本发明所提供的相变材料与通常的GeSbTe材料类似，有利于实现高密度存储。其在外部电驱动纳秒级脉冲作用下具有可逆相...

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