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一种MgB2基复合元素掺杂超导体的制备方法

2015年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明提供一种MgB2基复合元素掺杂超导体的制备方法，制备过程为：首先将干燥的镁粉、硼粉和Ti3SiC2粉末按照一定比例充分混合1-2小时，将混合后的粉末压制成型；然后将其置于真空退火炉中，在纯氩气或氩气与氢气的混合气的保护下，在700℃-1000℃的温度下保温1-10小时；最后冷却至室温，便制成高临界电流密度的MgB2基复合元素掺杂超导体。采用本发明制备MgB2基超导体，在改变MgB2基...
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