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适应纳米尺度CMOS集成电路DFM的ULTRA模型完善和偏差模拟技术研究

2015年

基础理论

成果简介

纳米尺度CMOS集成电路可制造性设计（Designing for Manufacturability, DFM）依赖CMOS模型和反映工艺偏差特征和规律的技术，以及将二者有效连接的模拟方法。我们提出“适应纳米尺度CMOS集成电路DFM的ULTRA模型完善和偏差模拟技术研究”项目, 争取2到3年在纳米电路DFM用新一代CMOS模型功能完善和工艺偏差表征和模拟技术上有突破性进展：完善ULTRA...

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