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高品质半导体碳化硅衬底材料

2015年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
1、课题来源与背景
本项科技成果来源于山东天岳先进材料科技有限公司承担的2012年济南市自主创新产业化重大专项计划。
2、技术原理及性能指标
(1)技术原理
采用二次合成法合成高纯度碳化硅粉,在自主设计的碳化硅单晶生长炉上,采用物理气相沉积法(PVT)通过控制掺杂生长出高品质的N型和半绝缘型4H碳化硅单晶,碳化...
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