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一种大功率半导体激光器及其制备方法

2014年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种大功率半导体激光器及其制备方法，包括铜支撑块、正极铜片、负极铜片和芯片，铜支撑块上设有台阶且其两端各设有一个凸台，凸台上开有螺孔，芯片与陶瓷片焊接，陶瓷片贴在铜支撑块上，正极铜片和负极铜片分别焊接正极陶瓷片和负极陶瓷片，正极陶瓷片和负极陶瓷片焊接在铜支撑块的台阶上，芯片的负极贴铜连接片，铜连接片与正极铜片贴合，陶瓷片与负极铜片间采用金丝压焊。本发明结合C-mount和CT-...
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