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碳化硅材料外延关键技术研究

2016年 应用技术
  • 成果简介
　　项目名称：碳化硅材料外延关键技术研究
　　项目成熟阶段： 孵化期
　　概况：
　　当今世界，能源问题受到国际社会的普遍关注，节能减排已成为世界的共识。碳化硅器件作为新兴第三代半导体器件的杰出代表，与传统的硅器件相比较，功率损耗和装置体积可减小50%以上，工作电压、工作频率可以达到硅器件的10 倍，电流密度达到硅器件的4 倍，可靠性更高，节能优势明显。
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