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III-V族氮化物材料生长用图形化蓝宝石衬底关键技术与产业化

2014年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

项目背景：
作为第三代半导体的III-V族氮化物材料，由于其特有的带隙范围和优良的光电特性，在紫外/可见光波段及白光发光二极管（LED）、蓝/绿光短波长激光二极管（LD）、紫外光探测器和高功率电子器件等领域有着广泛的应用前景。然而，制约氮化物材料发展的重要因素之一，则是衬底材料。由于氮化镓（GaN）单晶衬底至今没有很好地解决，III-V 族氮化物的生长主要依赖异质外延技...

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