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场效应晶体管的制造方法

2005年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　本发明涉及一种源漏在绝缘体上的场效应晶体管（MOSFET）的制造方法，属于微电子技术领域。本发明的特征在于采用选择外延法在常规SOIMOSTET器件的沟道下方埋氧中开一个窗口，使器件的沟道和硅衬底相连接，达到电耦合与热耦合的目的。
　　具体而言，本发明的方法包括SOI衬底顶层硅和埋氧的刻蚀；在沟道区域选择外延单晶硅；化学机械抛光平坦化；常规CMOS工艺完成器件的制造等工艺步骤。采用...

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