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半导体3D封装硅穿孔(TSV)绝缘介质薄膜沉积关键技术及设备

2014年

应用技术

中期阶段

成果简介

（1）任务来源：“半导体3D封装硅穿孔(TSV)绝缘介质薄膜沉积关键技术及设备”项目是本公司根据国内市场需求自主研发的课题。
（2）应用领域和技术原理。

（3）性能指标

技术指标
①覆盖率：

深宽比为1:4，宽度为430μm左右，直...

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