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多晶硅薄膜晶体管

2014年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种多晶硅薄膜晶体管。主要解决目前多晶硅薄膜器件性能较差，饱和电压较高的问题。整个器件包括玻璃衬底、栅电极、漏电极和源电极，其中栅电极位于玻璃衬底上方，该栅电极的长度覆盖源电极和源漏之间的沟道长度，以同时控制源电极和沟道区。栅电极上淀积有Si3N4介质层，该Si3N4介质层的长度覆盖整个栅电极和漏电极。Si3N4介质层上淀积有本征多晶硅薄，源极和漏极分别设置其两端，且源极采用肖...
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